LED磊晶技術介紹與探討

E09

1.MOCVD磊晶：載氣、反應前驅物、腔體氣流、加熱與溫度校正、壓力、V/III比、反應機制。

2.與磊晶層之介紹：緩衝層、晶格匹配、臨界厚度、橫向成長、基板、摻雜、摻雜、均勻度。

3.及時監測系統：光反射光譜分析、光干涉、質譜儀。

4.品質檢測。光激光譜(PL)、X光繞射光譜、掃描電子顯微鏡、穿透式電子

授課教師

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上課費用

上課時數

上課時間

2011/10/10

上課地點

南科園區

聯絡方式

1.成大會址：TEL：06-238-4278 分機812、822
2.南科駐點：TEL：06-505-1001 分機2142