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第5篇回覆 主題: re:AE01【先進矽薄膜太陽電池的研究發展】議題討論
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時間 : 2011-05-14 22:39:31 |
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| 作者: 袁益華 |
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矽薄膜太陽能電池需克服下列障礙:
1、效率低
2、建廠成本太高
3、光劣化
4、應用市場需再擴大
台灣太陽能廠需要有自主開發設備的能力才能掌握成本，並整合上中下游通路達到提高利潤之目的。 |
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第4篇回覆 主題: re:AE01【先進矽薄膜太陽電池的研究發展】議題討論
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時間 : 2011-05-10 09:58:19 |
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| 作者: 胡建任 |
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cost down |
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第3篇回覆 主題: re:AE01【先進矽薄膜太陽電池的研究發展】議題討論
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時間 : 2011-04-25 10:11:12 |
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| 作者: 楊宗霖 |
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在製程方面需解決大面積鍍膜的鍍率問題，目前利用RF濺鍍使用頻率為13.56MHz，若要提昇鍍率則頻率要再提高，但相對的機台成本亦相對的提高許多
在元件結構上，為了因應銦鑛短缺問題，在導電膜原料採用需改以更易取得的原料為主，如ZnO、SnO
專利部份由於大面積高速RF濺鍍機台專利皆掌握在國外大廠手上，因此國內設備商需對此一狀態進行研發及破解 |
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第2篇回覆 主題: re:AE01【先進矽薄膜太陽電池的研究發展】議題討論
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時間 : 2011-04-23 15:29:23 |
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| 作者: 林群淵 |
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個人認為，矽薄膜太陽能最大的瓶頸在於它的光裂化情形很嚴重，大面積製程專利為其次。 |
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第1篇回覆 主題: re:AE01【先進矽薄膜太陽電池的研究發展】議題討論
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時間 : 2011-04-23 12:02:36 |
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| 作者: 李宗信 |
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一般學界只針對元件研究只能說是超前期研究，離業界實現生產方面是連邊都很難扯上，
雖說轉換效率非常重要，但在產業界的現實面上所注意的就是產能良率的問題。
個人覺得台灣應以設備領導製程，唯有設備的開發技術領先，
才能有突破性的製程出現機會，設備要本土自製化才能有效降低生產成本，
讓台灣擠身甚至領導全球市場面的曙光出現! |
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