中華民國南部科學園區產學協會
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主題: 【E07 LED磊晶技術介紹與炭討(含實作)】議題探討 時間 : 2011-06-22 16:45:36
作者: 余瑋涓 信箱
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【題目】
面對市場上那麼多的基板供應商,如果您是公司的採購,會怎麼評估與篩選?

第2篇回覆 主題: re:【E07 LED磊晶技術介紹與炭討(含實作)】議題探討 時間 : 2011-06-27 11:53:31
作者: 林志賓 信箱
首先,先針對公司的磊晶製程能力,欲磊晶之磊晶層材料及磊晶機台特性來選擇基板種類。
而目前B or G chip磊晶製程較成熟是c-plane sapphire上磊晶c-plane之GaN(磊晶
層),在運用Pattern Sapphire Substrate; PSS or Sapphire Sidewall
Etching; SSE,提高光子取出效率。
Ø欲作B or G chip 的話,磊晶層材料選擇GaN時,sapphire會選擇c-plane sapphire
或是 Si substrate。主要因為sapphire價格較便宜且市場供給量大,較不易有材料短缺
之問題。目前而言,半導體基板 ex SiC,GaN etc 價格上還是太貴,以及SiC substrate
來源較少,品質較好者是由CREE提供,GaN substrate有不好磊晶的問題。

Ø欲作R or Y chip 的話,磊晶層材料會選擇AGIP,sapphire會選擇GaAs或是 Si
substrate。主要因為Si價格較便宜且市場供給量大,較不易有材料短缺之問題。

Ø決定好使用c-plane sapphire或是 Si substrate後,再來要選定基板供應商,會同
Pur/RD/QA 等新供應商稽核單位,對基板供應商作系統稽核及製程稽核,對基板供應商之
cost、技術、產能及品質等指標作出評分,以評斷是否可以列為合格供應商(ASL)。

Ø正式交貨後,由品保建立品質監控系統,監控基板來料品質狀況,以作為將來選擇使用哪一
段sapphire ingot,因為其每一段的品質狀況並不一致,可要求基板供應商提供特定段之
原料,來提高chip performance。

因為存在”Green gap” ,G chip在後續追求高亮度,或許要考量使用semi-polar or
non-polar 的磊晶方式,就要搭配選用c-plane or m-plane or r-plane 等特別方向
之sapphire or GaN substrate。
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第1篇回覆 主題: re:【E07 LED磊晶技術介紹與炭討(含實作)】議題探討 時間 : 2011-06-27 10:24:01
作者: 吳宗典 信箱
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