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主題: 101年度課後討論-半導體材料及元件特性量測分析
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時間 : 2012-05-24 19:05:51 |
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| 作者: 黃詩芸 |
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各位學員您好，授課講師提供以下議題，懇請各位學員撥冗回覆您的看法喔~
可針對該課講師的議題或您對此門課程的心得、問題等提出您的看法，大家可以互動交流，以獲得課堂外意想不到的收穫喔!!
1. X光繞射可做哪些特性分析?
2. 粉末X光繞射與低掠角X光繞射功能差異?
3. SIMS、AES、XPS及XRF等分析儀之成份解析與尺寸解析之優劣? |
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第1篇回覆 主題: re:101年度課後討論-半導體材料及元件特性量測分析
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時間 : 2012-05-25 11:33:30 |
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| 作者: 郭俊輝 |
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1.X光繞射可做哪些特性分析?
ANS:1.薄膜晶體種類 2.晶粒大小 3.薄膜應力 4.薄膜厚度 5.薄膜緻密度
2.粉末X光繞射與低掠角X光繞射功能差異?
ANS:粉末X光繞射可測:1.薄膜晶體種類 2.晶粒大小 3.薄膜應力
低掠角X光繞射可測:1.薄膜厚度量測 2.薄膜緻密度量測
3. SIMS、AES、XPS及XRF等分析儀之成份解析與尺寸解析之優劣?
ANS: SIMS:可測周期表上所有元素包括同位素;偵測極限:ppm~ppb;橫向分析:>1um ,
縱向分析<10nm
AES:可測周期表大於He以上所有元素;偵測極限:0.1~1%;橫向分析:>10nm,縱向分析<10nm
XPS::可測周期表大於He以上所有元素;偵測極限:0.1~1%;橫向分析:>10um,
縱向分析<10nm
XRF::可測周期表大於鈉以上所有元素;偵測極限:ppb;橫向分析:>10um , 縱向分析>10um |
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